CP測試時因墨點過大, 易造成晶圓正面平坦度不良, 以致研磨時易產生裂痕
請客戶在測試時務必防止此一現象, 以免造成晶圓裂痕
高品質, 交期快, 低成本
(926 bytes)本公司 研磨製程最薄可達6mil / 150um (for 6-inch wafer) or 7mil / 175um (for 8-inch wafer) 如果您的晶片需要更薄的厚度, 請另洽本公司業務部, 謝謝!
凡是在別處磨不好的晶片, 歡迎來世企試做, 我們相信
---沒有磨不好的矽晶圓, 除非找了不會磨的人。
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